中國科學(xué)院報(bào)道：由中國科學(xué)院半導(dǎo)體所承擔(dān)的國家“973”、“863”和中科院重大項(xiàng)目“新一代鎵銦氮砷(GaInNAs)長波長光電子材料與器件”，于近日成功研制出工作波長1.58微米的鎵銦氮砷銻/鎵砷長波長(GaInNAsSb/GaAs)單量子阱邊發(fā)射激光器，實(shí)現(xiàn)室溫連續(xù)激射，其性能參數(shù)如閾值電流達(dá)到鎵砷(GaAs)基1.2至1.6微米波段的同類激光器水平，超越國際同行1.5微米的研究結(jié)果。 隨著互聯(lián)網(wǎng)等信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，高速、大容量光纖通訊網(wǎng)絡(luò)的市場(chǎng)需求逐年成倍增長。與商用磷化銦基材料和器件相比，基于砷化鎵的鎵銦氮砷銻/鎵砷(GaInNAsSb)材料體系具有成本更低、溫度特性好，性能更穩(wěn)定，易實(shí)現(xiàn)單片光(電)子集成等優(yōu)點(diǎn)，是制備光通訊、光互聯(lián)等多種用途新一代光電子器件的理想材料，是近年來歐、美、日等發(fā)達(dá)國家的研究重點(diǎn)，市場(chǎng)應(yīng)用前景廣闊，競(jìng)爭(zhēng)非常激烈。 該課題組研究人員在分子束外延生長高質(zhì)量1.3微米量子阱材料的基礎(chǔ)上，通過增加氮的并入量和采用鎵氮砷(GaNAs)壘層，將量子阱的發(fā)光波長拓展到了1.55微米，同時(shí)運(yùn)用銻元素作為生長過程中的表面活性劑，優(yōu)化退火條件，大大改善了晶體質(zhì)量，使材料質(zhì)量達(dá)到了制作激光器的要求。此次研制成功的激光器采用脊形波導(dǎo)條形結(jié)構(gòu)、利用未鍍膜的自然解理面作為諧振腔，實(shí)現(xiàn)了1.58微米室溫連續(xù)激射。這是世界上首次實(shí)現(xiàn)鎵氮砷(GaAs)基稀氮化合物半導(dǎo)體激光器1.5微米以上的室溫激射，它證明了鎵氮砷(GaAs)基器件在1.2至1.6微米波段的全面應(yīng)用的可行性，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)在光通訊、光互聯(lián)中應(yīng)用的實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化展示了光明的前景。