繼2004年7月率先在國內(nèi)獲得光泵浦GaN基激光器受激發(fā)射之后，日前，北京市2003年度科技計劃項目??“氮化鎵基藍(lán)紫激光器的研制”再次獲得重大突破：首次實現(xiàn)了波長為405nm左右的電注入脊型波導(dǎo)GaN基激光二極管的受激發(fā)射，成為目前我國大陸實現(xiàn)的波長最短的半導(dǎo)體激光器，為我國在實現(xiàn)GaN基激光器零的突破方面做出了重要貢獻(xiàn)。 　　自承擔(dān)課題任務(wù)起，北京大學(xué)針對寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵基激光器的難點，進(jìn)行了氮化鎵基激光器外延和器件結(jié)構(gòu)的計算和優(yōu)化設(shè)計、MOCVD外延生長和表征、器件微加工技術(shù)和諧振腔結(jié)構(gòu)等方面的探索和研究，在GaN基材料系量子阱和超晶格與波導(dǎo)結(jié)構(gòu)MOCVD生長、窄波導(dǎo)激光二極管器件制備等關(guān)鍵性科學(xué)和技術(shù)問題方面取得一系列進(jìn)展。特別是在GaN基結(jié)構(gòu)的陰極熒光(CL)分析，氮化鎵基激光器腔鏡面研究和應(yīng)用(包括采用激光剝離技術(shù)獲得高質(zhì)量的氮化鎵基解理腔鏡面以及基于光子晶體的諧振腔鏡面)等有特色的研究方面取得重要進(jìn)展和突破。此次實現(xiàn)氮化鎵基激光二極管電注入激射時所用波段的激光正是用于下一代“藍(lán)光DVD”光盤系統(tǒng)的光源。目前，系統(tǒng)相關(guān)測試工作正在抓緊進(jìn)行之中。 　　GaN 基激光器是波長最短的半導(dǎo)體激光器，波長為405nm范圍的藍(lán)-紫光GaN基激光器是發(fā)展下一代大容量高密度光存儲信息技術(shù)的關(guān)鍵性器件。它在國防建設(shè)、生物、環(huán)境、照明、顯示、打印和醫(yī)療等領(lǐng)域，具有廣闊的應(yīng)用前景和巨大的市場需求。